Spinninjektion aus (Zn, Mn) Se in GaAs-Quantenfilme
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Spinninjektion aus (Zn, Mn) Se in GaAs-Quantenfilme

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Spinninjektion aus (Zn, Mn) Se in GaAs-Quantenfilme

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Zusammenfassung fĂŒr"Spininjektion aus (Zn, Mn)Se in GaAs-Quantenfilme"Daniel Tröndle, DissertationDer quantenmechanische Freiheitsgrad Spin und seine Ausnutzung fĂŒr die Informationsverarbeitung steht in der letzten Dekade an einer prominenten Stelle der Forschung. Die vorliegende Arbeit beschĂ€ftigt sich mit der Erzeugung, der Injektion und der Relaxation von Spinpopulationen in Halbleiter-Nanostrukturen. Zur PrĂ€paration eines spinpolarisierten Ensembles von LadungstrĂ€gern dient der verdĂŒnnte magnetische Halbleiter (Zn, Mn)Se mit seiner riesigen exzitonischen Zeeman-Aufspaltung von bis zu 100 meV in starken Magnetfeldern. In ausfĂŒhrlichen Messungen wurden die Eigenschaften von (Zn, Mn)Se in AbhĂ€ngigkeit des Mangangehalts untersucht und die ideale Komposition fĂŒr Spininjektionsexperimente ermittelt. FĂŒr die Spininjektion werden LadungstrĂ€ger entweder optisch im (Zn, Mn)Se erzeugt oder ĂŒber ein elektrisches Feld durch die magnetische Schicht transportiert und relaxieren anschließend in GaAs-Quantenfilme. Aus dem zirkularen Polarisationsgrad der Lumineszenz des Quantenfilms wird auf die Spininjektionseffizienz geschlossen. Die beobachteten Verluste der Spinpolarisation werden durch einen effizienten Mechanismus zur Spinrelaxation durch Elektron-Loch-Austauschwechselwirkung erklĂ€rt, der bei der energetischen Relaxation unter Emission von LO-Phononen im Quantenfilm wirkt.

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Information

Year
2006
eBook ISBN
9783736917439
Print ISBN
9783865377432
Edition
0

Table of contents