Diese Arbeit beschĂ€ftigt sich mit der Entwicklung von monolithischen modengekoppelten Halbleiterlasern auf GaAs-Basis, die zur Kurzpulserzeugung verwendet werden. Die damit erreichten PulslĂ€ngen liegen im niederen ps-Bereich bei einer EmissionswellenlĂ€nge von 920 nm. Dazu werden zunĂ€chst die zum VerstĂ€ndnis notwendigen physikalischen Inhalte vermittelt, welche die wesentlichen Grundlagen der Laserphysik umfassen. Wichtige Aspekte sind dabei die Pulserzeugung mit Halbleiterlaserdioden und die gesamte dynamische Simulation der entwickelten Bauelemente. Des Weiteren setzt sich die Arbeit detailliert mit der Fertigung der Laserdioden auseinander. Es werden alle nötigen Prozessschritte von der Epitaxie bis zum fertig aufgebauten Bauelement dargelegt, einschlieĂlich einer elektro-optischen Charakterisierung der epitaktisch gewachsenen Strukturen. Im Hauptteil steht die experimentelle Untersuchung der verschiedenen Mehrsegmentlaser hinsichtlich Pulsleistung, Pulsdauer, StabilitĂ€t und Abstrahlverhalten im Mittelpunkt. Die verwendeten Messverfahren werden detailliert diskutiert, verglichen und bezĂŒglich ihrer Verwendbarkeit bewertet. Die hierbei gewonnenen Erkenntnisse bilden die Grundlage fĂŒr das umfassende VerstĂ€ndnis GaAs-basierender modengekoppelter Halbleiterlaser. Dieses wiederum ist Voraussetzung und Werkzeug fĂŒr die Realisierung Ă€hnlicher Halbleiterlaser bei anderen WellenlĂ€ngen.

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Information
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9783954044719
Edition
1Table of contents
- 0 Executive Summary
- 1 Einleitung
- 2 Grundlagen
- 3 Mehrsegment-Laser
- 4 Herstellung und Montage der Proben
- 5 Experimenteller Aufbau und Technikenzur Charakterisierung von Kurzpulslasern
- 6 Ergebnisse passiv modengekoppelter Laser
- 7 Hybride Modenkopplung
- 8 DBR Sektion mit Strom inDurchlassrichtung
- 9 Zusammenfassung
- A Travelling-Wave-Modell
- B HĂ€ufig verwendete AbkĂŒrzungen undSymbole
- C Eigene Arbeiten
- Literaturverzeichnis