In dieser Arbeit wird die Rashba Spin-Bahn Wechselwirkung in zweidimensionalen Elektronengasen(2DEG) von III-V Schmalbandhalbleitern untersucht. Hauptursache der Spin-Bahn Wechselwirkung ist in diesen Halbleitern Strukturinversionsasymmetrie, deren Stärke durch den Rashba Parameter a beschrieben wird. Die Potentialgradienten senkrecht zum 2DEG und die Grenzflächen tragen zu a bei. In dieser Arbeit werden drei Messmethoden verwendet, um a zu bestimmen: Shubnikov-de Haas (SdH) Oszillationen in starken äußeren Magnetfeldern und Schwache Antilokalisierung (WAL) sowie Al'tshuler-Aronov-Spivak (AAS) Oszillationen in kleinen externen Magnetfeldern. Die Stärke von a wird durch Anlegen von Gatespannungen geregelt. Messungen an Inversionsschichten von p-Typ InAs Einkristallen sowie an InAs/In0.75Ga0.25As Heterostrukturen zeigen SdH Oszillationen und WAL.
- 101 pages
- English
- PDF
- Available on iOS & Android
eBook - PDF
About this book
Trusted by 375,005 students
Access to over 1.5 million titles for a fair monthly price.
Study more efficiently using our study tools.
Information
Print ISBN
9783865374493
Edition
1Table of contents
- Introduction
- Basic concepts
- Processing and experimental techniques
- p-type InAs single crystals
- InAs heterostructures
- InAlAs/InGaAs heterostructures
- Outlook and conclusions
- Process parameters
- Fit software
- Contributions and publications
- Bibliography
- Acknowledgments