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Das Ziel dieser Arbeit war die systematische Untersuchung der optischen und kristallographischen Eigenschaften der Uranmonochalcogenide und verdĂŒnntem Uransulfid unter hohen DrĂŒcken, um den Einfluss des Drucks und der chemischen VerdĂŒnnung auf den Lokalisierungsgrad der 5f-Elektronen zu bestimmen. Die Messungen der Kristallstruktur an US, USe und UTe und an den verdĂŒnnten Mischkristallen U0, 8La0, 2S, U0, 4La0, 6S und LaS zeigen sehr gute Ăbereinstimmung mit den Literaturwerten. Auch bei der Bestimmung der PhasenĂŒbergĂ€nge und der Kompressionsmoduln sind im Rahmen der Messungenauigkeiten gute Ăbereinstimmungen erreicht worden. FĂŒr US konnte ein PhasenĂŒbergang bei ~70 GPa identifiziert werden, ein Ăbergang in die bcc-Struktur kann dabei ausgeschlossen werden. Allein fĂŒr USe wurde mit 79 GPa ein etwas höherer Kompressionsmodul bestimmt, der aber nĂ€her an den theoretischen Vorhersagen liegt. FĂŒr den Kompressionsmodul von U0, 4La0, 6S ist eine erhebliche Abweichung vom erwarteten linearen Verhalten bezĂŒglich der Urankonzentration festgestellt worden. Bei den optischen Messungen unter Druck in der Reihe der Uranmonochalcogenide zeigt sich eine starke Zunahme der Lokalisierung vom US hin zum UTe. Diese Lokalisierung kann durch das Anlegen von Druck und die dadurch bedingte Verringerung der Gitterkonstante teilweise wieder aufgehoben werden. Bei einem Ăbergang in die kubisch raumzentrierte Kristallstruktur zeigen USe und UTe jeweils ein vollstĂ€ndig itinerantes Verhalten, was durch die jeweils stark verbreiterten 5f-BĂ€nder des Urans erklĂ€rt werden kann. Die Plasmafrequenz, die in der Reihe der Monochalcogenide vom US zum UTe hin stark abfĂ€llt, kann durch das Anlegen von Druck wieder leicht erhöht werden, was mit einem Anstieg der LadungstrĂ€gerkonzentration einhergeht. Beim PhasenĂŒbergang in die bcc-Phase nimmt diese fĂŒr das USe und UTe jedoch schlagartig ab. Die DĂ€mpfung der freien Elektronen bleibt fĂŒr alle Monochalcogenide in der fcc-Phase nahezu unverĂ€ndert, auch hier ist eine starke VerĂ€nderung nur durch den PhasenĂŒbergang zu verzeichnen, der beim USe und UTe einen Abfall um den Faktor 5 bzw. 6 bewirkt. Allgemein kann mit steigendem Druck ein zunehmend metallisches Verhalten beobachtet werden. Die Anpassungsrechnungen legen neben den stark gedĂ€mpften f-artigen Elektronen auch das Auftreten von schwach gedĂ€mpften d-artigen Elektronen bei niedrigen DrĂŒcken nahe.
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