Spektroskopie von piezoelektrischen Halbleitermaterialien für optoelektronische Anwendungen

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• Publisher: Cuvillier Verlag
• Year: 2008
• Print ISBN: 9783867276771
• eBook ISBN: 9783736926776
• Edition: 1

In dieser Arbeit wurden physikalische Zusammenhänge in den polaren MaterialienGaInN/GaN, InN und ZnO mittels optischer Spektroskopie untersucht und erklärt.In GaInN/GaN Quantenfilmen konnte das Polarisationsfeld für polare (0001) undsemipolare (1¹101) Strukturen gemessen werden. Dabei kamen ortsaufgelöste feld-abhängige Photolumineszenz und Elektrolumineszenz zum Einsatz. Damit stehtzum ersten Mal ein experimenteller Wert für ein Polarisationsfeld in einer semi-polaren Orientierung zur Verfügung. Daraus lässt sich das Verhalten dieses Feldesfür alle denkbaren Orientierungen herleiten und auf den piezoelektrischen Ten-sor von GaN schließen, insbesondere auf das Tensorelement e15 > 0, für das esbisher kaum Angaben gibt. Das Modell, das das Verhalten der GaInN/GaN Quan-tenfilme als Funktion vieler Parameter wie Dicke, Zusammensetzung, Verzerrung, Feld, Abschirmung und Dotierung beschreibt geht dabei deutlich Äuber bisher inder Literatur verwendete Modelle hinaus und schließt dabei auch beliebige Wachs-tumsrichtungen mit ein.An den semipolaren (1¹101) GaInN/GaN-Quantenfilmen wurde polarisierte Licht-emission gefunden und erfolgreich mit einem Modell erklärt, das auf kp-Störungs-theorie beruht. Damit konnte sowohl die Richtung der Polarisation, als auch derenquantitative Stärke korrekt nachgebildet und damit verstanden werden. Entgegenüblicher Erklärungsmuster ist nicht die Valenzbandaufspaltung alleine für den Ef-fekt verantwortlich, sondern vielmehr die starke Änderung der Matrix-Elemente, die auf der veränderten Verzerrungssituation auf den verschiedenen Kristallflächenberuht.An hexagonalem InN wurde mit Photolumineszenz und optischer Reflexion eineResonanz in den dielektrischen Eigenschaften des Materials nachgewiesen. Die La-ge der Resonanz knapp oberhalb der Bandkante des entarteten Halbleiters konntemit dem Auftreten des Mahan-Exzitons erklärt werden. Dieser Vielteilchen-Effekt, der damit erstmals für einen nitridischen Halbleiter und erst zum zweiten Mal ineinem Volumenhalbleiter nachgewiesen wurde, dominiert offensichtlich sehr vielein der Literatur beschriebene InN-Lumineszenzspektren und ist damit hilfreich, die andauernde Diskussion um die Lage der fundamentalen Bandlücke von InN zuentscheiden. An kubischem InN konnte zusätzlich zum ersten Mal verlässliche Pho-tolumineszenz gezeigt werden. Diese Proben wurden weiterhin mittels Ferinfrarot-Reflektion charakterisiert und mit einem Modell angepasst, mit dem die freie La-dungsträgerdichte bestimmt werden konnte.An sehr vielen ZnO Proben, darunter Schichten, Säulenproben, Einkristalle undNanokristallite wurde im Verlauf dieser Arbeit Photolumineszenz gemessen. Indieser Arbeit wurde ein Modell entwickelt, dass es sich beim so genannten Ober-flächenexziton bei 3: 367 eV auch um einen Donator-Oberflächen-Akzeptor Über-gang handeln könnte. Mittels ausgewählter Spektren wurde zuerst gezeigt, dass einexzitonischer Ursprung sehr unwahrscheinlich ist und dass die Rekombinationsban-de nicht vom Oberflächen-Volumen-Verhältnis abhängt. Schließlich konnte ein sehreinfaches neues Modell zeigen, dass die typische Linienform des Übergangs elegantmit Donator-Akzeptor Paarspektren erklärt werden kann, wenn der Akzeptor ander Oberfläche der Proben lokalisiert ist.Im letzten Teil der Arbeit wurde das Auftreten von ortsabhÄangigen Anregungs-Resonanzen in einzelnen ZnO-Nanosäulen sehr hoher Qualität auf der Nanometer-Skala erklärt. Im hochauflösenden Rasterelektronen-Mikroskop wurde eine peri-odische Modulation der Anregungs-Effizienz gefunden, die mit dem Auftreten vonstehenden Wellen in den Nanosäulen zusammenhängt. Die Säulen wirken damitals Nano-Resonatoren. Mit der vorgestellten mathematischen Beschreibung konn-ten die Experimente quantitativ ausgewertet werden, au¼erdem wurden Vorher-sagen über sich ausbildende Moden in Nano-Resonatoren verschiedener Größeermöglicht.