Die vorliegende Arbeit befasst sich mit der technologischen Entwicklung eines CMOS (Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor) Prozesses zur Herstellung von integrierten Schaltungen. Dabei werden Siliziumoxid und Aluminiumoxid als Gatedielektrika verwendet und untersucht. Dadurch ergibt sich ein Vergleich zwischen einem selbstjustierenden Gate-Prozess, mit Polysilizium als Gateelektrode und Siliziumoxid als Dielektrikum, und dem Metal-Gate Prozess mit einem Gatestack basierend auf Aluminiumoxid mit metallischer Gateelektrode. Neben den theoretischen Grundlagen zur Thematik der Feldeffekttransistoren wird auf das statische Verhalten des CMOS-Inverters eingegangen. Dieser wird im Rahmen der Arbeit als integrierte Schaltung hergestellt. Der Schwerpunkt dieser Arbeit liegt auf der elektrischen Charakterisierung und dem Vergleich mit analytischen Berechnungen.
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9783954043514
Edition
1Table of contents
- Zusammenfassung
- Abstract
- Inhaltsverzeichnis
- Kapitel 1 Einleitung
- Kapitel 2 MOS-KapazitƤt
- Kapitel 3 Physik des Langkanal MOSFETs
- Kapitel 4 CMOS Inverter
- Kapitel 5 SOD-CMOS-Prozess
- Kapitel 6 Elektrische Charakterisierung
- Kapitel 7 Zusammenfassung und Ausblick
- Anhang A Maskenlayout
- Anhang B Prozessparameter
- Anhang C Konstanten
- Formelzeichen
- AbkĆ¼rzungen
- Abbildungsverzeichnis
- Tabellenverzeichnis
- Literaturverzeichnis
- Publikationen
- Danksagung