Herstellung und Charakterisierung von high-k Metal-Gate CMOS Transistoren
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Herstellung und Charakterisierung von high-k Metal-Gate CMOS Transistoren

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About this book

Die vorliegende Arbeit befasst sich mit der technologischen Entwicklung eines CMOS (Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor) Prozesses zur Herstellung von integrierten Schaltungen. Dabei werden Siliziumoxid und Aluminiumoxid als Gatedielektrika verwendet und untersucht. Dadurch ergibt sich ein Vergleich zwischen einem selbstjustierenden Gate-Prozess, mit Polysilizium als Gateelektrode und Siliziumoxid als Dielektrikum, und dem Metal-Gate Prozess mit einem Gatestack basierend auf Aluminiumoxid mit metallischer Gateelektrode. Neben den theoretischen Grundlagen zur Thematik der Feldeffekttransistoren wird auf das statische Verhalten des CMOS-Inverters eingegangen. Dieser wird im Rahmen der Arbeit als integrierte Schaltung hergestellt. Der Schwerpunkt dieser Arbeit liegt auf der elektrischen Charakterisierung und dem Vergleich mit analytischen Berechnungen.

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Information

Publisher
Cuvillier Verlag
Year
2013
Print ISBN
9783954043514
eBook ISBN
9783736943513
Edition
1

Table of contents

  1. Zusammenfassung
  2. Abstract
  3. Inhaltsverzeichnis
  4. Kapitel 1 Einleitung
  5. Kapitel 2 MOS-KapazitƤt
  6. Kapitel 3 Physik des Langkanal MOSFETs
  7. Kapitel 4 CMOS Inverter
  8. Kapitel 5 SOD-CMOS-Prozess
  9. Kapitel 6 Elektrische Charakterisierung
  10. Kapitel 7 Zusammenfassung und Ausblick
  11. Anhang A Maskenlayout
  12. Anhang B Prozessparameter
  13. Anhang C Konstanten
  14. Formelzeichen
  15. AbkĆ¼rzungen
  16. Abbildungsverzeichnis
  17. Tabellenverzeichnis
  18. Literaturverzeichnis
  19. Publikationen
  20. Danksagung