Im Rahmen dieser Dissertation wird eine Halbleiter-Speicherschicht entwickelt, für die C60 Fulleren Moleküle in Dielektrika eingebettet werden. Die Moleküle stellen dort Zustände zur Verfügung, die mit Elektronen geladen und entladen werden können. Verschiedenen Möglichkeiten der Einbettung der Moleküle in ein Dielektrikum werden beschrieben. Die besten Resultate zeigen Schichten, die gewachsen werden, indem eine geringe Menge der Moleküle (5% einer Monolage) in einer Ultrahochvakuum-Anlage thermisch auf einen Silizium-Wafer sublimiert und anschließend in situ mit amorphen Silizium überwachsen wird. Der gesamte Schichtstapel wird dann bei niedriger Temperatur feucht oxidiert. Der Aufbau der Proben wird durch Rasterkraftmikroskopie, Rastertunnelmikroskopie und weitere analytische Messmethoden kontrolliert. Elektrische Messungen zeigen einen reversiblen nichtflüchtigen Speichereffekt. Der Stromtransport durch das Oxid wird durch Tunnelstrommodelle beschrieben. Mit Hilfe dieser Modelle ist es danach möglich, den Mechanismus hinter dem Ladeffekt zu verstehen.
- 169 pages
- English
- PDF
- Available on iOS & Android
eBook - PDF
About this book
Trusted by 375,005 students
Access to over 1.5 million titles for a fair monthly price.
Study more efficiently using our study tools.
Information
Print ISBN
9783954045594
Edition
1Table of contents
- Inhaltsverzeichnis
- 1 Einleitung
- 2 Theoretische Grundlagen
- 3 Ladungsträgertransport durch Dielektrika
- 4 Methoden
- 5 Untersuchung der Technologievarianten zur Probenherstellung
- 6 Einbetten von C60 in amorphes Silizium mit anschließender Oxidation
- 7 Elektrische Messungen an MOS Dioden mit C60-Einbettung
- 8 Zusammenfassung und Ausblick
- Nomenklatur
- Literaturverzeichnis
- Publikationen
- Danksagung