- 166 pages
- English
- PDF
- Available on iOS & Android
About this book
Im Rahmen dieser Dissertation wird eine Halbleiter-Speicherschicht entwickelt, für die C60 Fulleren Moleküle in Dielektrika eingebettet werden. Die Moleküle stellen dort Zustände zur Verfügung, die mit Elektronen geladen und entladen werden können. Verschiedenen Möglichkeiten der Einbettung der Moleküle in ein Dielektrikum werden beschrieben. Die besten Resultate zeigen Schichten, die gewachsen werden, indem eine geringe Menge der Moleküle (5% einer Monolage) in einer Ultrahochvakuum-Anlage thermisch auf einen Silizium-Wafer sublimiert und anschließend in situ mit amorphen Silizium überwachsen wird. Der gesamte Schichtstapel wird dann bei niedriger Temperatur feucht oxidiert. Der Aufbau der Proben wird durch Rasterkraftmikroskopie, Rastertunnelmikroskopie und weitere analytische Messmethoden kontrolliert. Elektrische Messungen zeigen einen reversiblen nichtflüchtigen Speichereffekt. Der Stromtransport durch das Oxid wird durch Tunnelstrommodelle beschrieben. Mit Hilfe dieser Modelle ist es danach möglich, den Mechanismus hinter dem Ladeffekt zu verstehen.
Frequently asked questions
- Essential is ideal for learners and professionals who enjoy exploring a wide range of subjects. Access the Essential Library with 800,000+ trusted titles and best-sellers across business, personal growth, and the humanities. Includes unlimited reading time and Standard Read Aloud voice.
- Complete: Perfect for advanced learners and researchers needing full, unrestricted access. Unlock 1.4M+ books across hundreds of subjects, including academic and specialized titles. The Complete Plan also includes advanced features like Premium Read Aloud and Research Assistant.
Please note we cannot support devices running on iOS 13 and Android 7 or earlier. Learn more about using the app.
Information
Table of contents
- Inhaltsverzeichnis
- 1 Einleitung
- 2 Theoretische Grundlagen
- 3 Ladungsträgertransport durch Dielektrika
- 4 Methoden
- 5 Untersuchung der Technologievarianten zur Probenherstellung
- 6 Einbetten von C60 in amorphes Silizium mit anschließender Oxidation
- 7 Elektrische Messungen an MOS Dioden mit C60-Einbettung
- 8 Zusammenfassung und Ausblick
- Nomenklatur
- Literaturverzeichnis
- Publikationen
- Danksagung