Diese Arbeit zeigt, wie die epitaktische Abscheidung von AlGaN-Schichten im gesamten Kompositionsbereich mittels Hydrid-Gasphasenepitaxie (HVPE) realisiert wird.Die Optimierung eines für die Abscheidung verwendeten Quarzglasreaktors und das AlGaN-Wachstum durch ein quasi-thermodynamisches Modell werden detailliert beschrieben. Eine entscheidende Verbesserung der AlGaN-Materialqualität wird durch das Verfahren des epitaktisch lateralen Überwachsens strukturierter Substrate sowie durch Parameterstudien zum Substratfehlschnitt, Gesamtdruck und V/III-Verhältnis erreicht.Die Untersuchung struktureller und optischer Eigenschaften des abgeschiedenen Materials zeigt, dass die HVPE ein geeignetes Verfahren ist, um dicke, einheitlich orientierte, transparente AlGaN-Schichten herzustellen.
- 176 pages
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Information
Print ISBN
9783954049851
Edition
1Table of contents
- Inhalt
- 1 Einleitung und Aufgabenstellung
- 2 Eigenschaften und Charakterisierung von AlxGa1-xN
- 3 Theoretische und experimentelle Grundlagen der Hydrid-Gasphasenepitaxie
- 4 Planares Wachstum von AlxGa1-xN auf Saphir
- 5 Epitaktisch laterales Überwachsen
- 6 Parameterstudien zum Wachstum von c-planarme AlgaN auf Grabenstrukturen
- 7 Materiealeigenschaften von c-planarem ELO-AlxGa1-xN
- 8 Variation der Substratstruktur für ELO von AlxGa1-xN
- 9 Zusammenfassung
- Abbildungsverzeichnis
- Tabellenverzeichnis
- A Tabellierung verwendeter Materialparameter
- B Gravimetrische Bestimmung der Wachstumsrate
- C Bestimmung des Al-Gehalts
- D Berechnung der Gleichgewichtspartialdrücke in der Substratzone
- Liste eigener Veröffentlichungen
- Literaturverzeichnis