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About this book
In dieser Arbeit wurden die EinflĂŒsse von Versetzungsdichte, Heterostruktur und Detektorgeometrie auf die elektrooptischen Eigenschaften AlGaN-basierter Metall-Halbleiter-Metall-Photodetektoren (MSM PD) untersucht. Im Vordergrund stand dabei die Realisierung von Schottky-Typ MSM PD, die fĂŒr die Photodetektion fĂŒr WellenlĂ€ngen unterhalb von 300 nm geeignet sind und eine möglichst hohe externe Quanteneffizienz (EQE) aufweisen. Solche Detektoren erlauben den Nachweis von UV- Strahlung ohne störenden Einfluss des Sonnenlichts. Basierend auf experimentellen und simulierten Daten front- und rĂŒckseitig bestrahlter Al0.5Ga0.5N/AlN MSM PD auf planaren Saphir-Templates wurde eine umfangreiche Studie zusammen-gestellt, in der das Schwellen- und SĂ€ttigungsverhalten der EQE dieser Bauteile auf die Polarisationsladung am AlGaN/AlN-Hetero-Ăbergang zurĂŒckgefĂŒhrt wurde. Darauf aufbauend wurden die EinflĂŒsse von Schichtstruktur, Elektrodengeometrie und Metallisierungsschema auf die Verringerung der nötigen Betriebsspannung untersucht und diese OptimierungsansĂ€tze so kombiniert, dass eine EQE von 24% bei 0 V erzielt werden konnte.DarĂŒber hinaus wurden frontseitig bestrahlte Al0.4Ga0.6N MSM PD auf epitaktisch lateral ĂŒberwachsenen (ELO) AlN-Templates untersucht. DĂŒnne AlGaN-Absorberschichten wiesen dabei eine ausgeprĂ€gte InhomogenitĂ€t der Materialzusammensetzung auf. Aufgrund der damit verbundenen internen GrenzflĂ€chen entsteht PhotostromverstĂ€rkung verbunden mit erhöhten Dunkelströmen. FĂŒr dicke Absorberschichten, bei denen die MaterialinhomogenitĂ€t tiefer unterhalb der Elektroden vergraben ist, konnte die Erhöhung der EQE ohne VerstĂ€rkung anhand eines einfachen physkalischen Modells direkt auf die reduzierte Versetzungs-dichte im AlGaN zurĂŒckgefĂŒhrt werden.
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Information
Table of contents
- Inhaltsverzeichnis
- Einleitung & Motivation
- Kapitel 1.
- Kapitel 2.
- Kapitel 3.
- Kapitel 4.
- Kapitel 5.
- Zusammenfassung und Ausblick
- Anhang A.
- Verzeichnisse
- Danksagung