Dieses einzigartige Buch, geschrieben von Pionieren auf dem Gebiet, behandelt sämtliche Aspekte der Physik der Halbleiterbauelemente, die zu deren Verständnis, Betrieb, Weiter- und Neuentwicklung notwendig sind. Wie das englische Original ist die deutsche Ausgabe ein äußerst nützliches Nachschlagewerk in der industrieorientierten Halbleiterforschung und eignet sich ebenfalls ausgezeichnet als Einstiegsliteratur für Studierende sowie als Unterrichtsmaterial für Vortragende.

Bei der deutschen Ausgabe wurde besonderer Wert auf eine gute Lesbarkeit gelegt und daher die Übersetzung, teilweise unter Rückgriff auf die von den Autoren zitierten Originalquellen, so gestaltet, dass unnötige Anglizismen vermieden werden. Das englische Fachvokabular ist ergänzend an den entsprechenden Stellen im Text eingearbeitet, um den Leserinnen und Lesern den Gebrauch der englischsprachigen Fachliteratur zu erleichtern. Gelegentliche Anmerkungen im Text und Verweise auf weitere Originalquellen tragen zusätzlich zum besseren Verständnis der Materie bei.

Als das Referenzwerk schlechthin ist der "Sze" ein Muss für alle, die sich in Forschung, Entwicklung und Lehre mit Halbleiterbauelementen beschäftigen. Die Inhalte sind kompakt und präzise beschrieben und eignen sich perfekt für den Einstieg in das jeweilige Gebiet, komplettiert durch vertiefende Übungsbeispiele zu jedem Kapitel.

Physik der Halbleiterbauelemente bietet eine unerreichte Detailfülle und ausführliche Informationen über die Physik und den Betrieb aller relevanten Halbleiterbauelemente, mit 1000 Literaturangaben, 650 technischen Illustrationen sowie 25 Tabellen mit Material- und Bauelementparametern.

Aus dem Inhalt:

Halbleiterphysik-Grundlagen
p-n Übergänge
Metall-Halbleiter-Kontakte
MIS-Kondensatoren
Bipolartransistoren
MOSFETs
Nichtflüchtige Speicher
JFETs
MESFETs und MODFETs
Tunnel-Bauelemente
IMPATT-Dioden
TE- und RST-Devices
Thyristoren und Leistungsbauelemente
Photodetektoren und Solarzellen
Sensoren

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Thema

Physical Sciences

Thema

Condensed Matter

Inhaltsverzeichnis

Cover
Titelseite
Impressum
Vorwort
Vorwort des Übersetzers
Inhaltsverzeichnis
Biografien
Einführung
Teil I Halbleiterphysik
Teil II Grundstrukturen der Halbleiter-Bauelemente
Teil III Transistoren
Teil IV Bauelemente mit negativem Widerstand und Leistungsbauelemente
Teil V Photonische Bauelemente und Sensoren
Anhang A Liste der Symbole
Anhang B Internationales Einheitensystem
Anhang C Einheitenpräfixe
Anhang D Das griechische Alphabet
Anhang E Physikalische Konstanten
Anhang F Eigenschaften der wichtigsten Halbleiter
Anhang G Das Bloch-Theorem und die Energiebänder im reziproken Gitter
Anhang H Eigenschaften von Si und GaAs
Anhang I Die Boltzmann-Transportgleichung und das hydrodynamische Modell
Anhang J Eigenschaften von SiO2 und Si3N4
Anhang K Kompaktmodelle von Bipolartransistoren
Anhang L Die Entdeckung des Floating-Gate-Speicher-Effekts
Stichwortverzeichnis
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