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Physik der Halbleiterbauelemente
Über dieses Buch
Physik der Halbleiterbauelemente
Das Standardwerk zur Physik der Halbleiterbauelemente – erstmals auf Deutsch!
Dieses einzigartige Buch, geschrieben von Pionieren auf dem Gebiet, behandelt sämtliche Aspekte der Physik der Halbleiterbauelemente, die zu deren Verständnis, Betrieb, Weiter- und Neuentwicklung notwendig sind. Wie das englische Original ist die deutsche Ausgabe ein äußerst nützliches Nachschlagewerk in der industrieorientierten Halbleiterforschung und eignet sich ebenfalls ausgezeichnet als Einstiegsliteratur für Studierende sowie als Unterrichtsmaterial für Vortragende.
Bei der deutschen Ausgabe wurde besonderer Wert auf eine gute Lesbarkeit gelegt und daher die Übersetzung, teilweise unter Rückgriff auf die von den Autoren zitierten Originalquellen, so gestaltet, dass unnötige Anglizismen vermieden werden. Das englische Fachvokabular ist ergänzend an den entsprechenden Stellen im Text eingearbeitet, um den Leserinnen und Lesern den Gebrauch der englischsprachigen Fachliteratur zu erleichtern. Gelegentliche Anmerkungen im Text und Verweise auf weitere Originalquellen tragen zusätzlich zum besseren Verständnis der Materie bei.
Als das Referenzwerk schlechthin ist der "Sze" ein Muss für alle, die sich in Forschung, Entwicklung und Lehre mit Halbleiterbauelementen beschäftigen. Die Inhalte sind kompakt und präzise beschrieben und eignen sich perfekt für den Einstieg in das jeweilige Gebiet, komplettiert durch vertiefende Übungsbeispiele zu jedem Kapitel.
Physik der Halbleiterbauelemente bietet eine unerreichte Detailfülle und ausführliche Informationen über die Physik und den Betrieb aller relevanten Halbleiterbauelemente, mit 1000 Literaturangaben, 650 technischen Illustrationen sowie 25 Tabellen mit Material- und Bauelementparametern.
Aus dem Inhalt:
- Halbleiterphysik-Grundlagen
- p-n Übergänge
- Metall-Halbleiter-Kontakte
- MIS-Kondensatoren
- Bipolartransistoren
- MOSFETs
- Nichtflüchtige Speicher
- JFETs
- MESFETs und MODFETs
- Tunnel-Bauelemente
- IMPATT-Dioden
- TE- und RST-Devices
- Thyristoren und Leistungsbauelemente
- Photodetektoren und Solarzellen
- Sensoren
Häufig gestellte Fragen
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Information
Inhaltsverzeichnis
- Cover
- Titelseite
- Impressum
- Vorwort
- Vorwort des Übersetzers
- Inhaltsverzeichnis
- Biografien
- Einführung
- Teil I Halbleiterphysik
- Teil II Grundstrukturen der Halbleiter-Bauelemente
- Teil III Transistoren
- Teil IV Bauelemente mit negativem Widerstand und Leistungsbauelemente
- Teil V Photonische Bauelemente und Sensoren
- Anhang A Liste der Symbole
- Anhang B Internationales Einheitensystem
- Anhang C Einheitenpräfixe
- Anhang D Das griechische Alphabet
- Anhang E Physikalische Konstanten
- Anhang F Eigenschaften der wichtigsten Halbleiter
- Anhang G Das Bloch-Theorem und die Energiebänder im reziproken Gitter
- Anhang H Eigenschaften von Si und GaAs
- Anhang I Die Boltzmann-Transportgleichung und das hydrodynamische Modell
- Anhang J Eigenschaften von SiO2 und Si3N4
- Anhang K Kompaktmodelle von Bipolartransistoren
- Anhang L Die Entdeckung des Floating-Gate-Speicher-Effekts
- Stichwortverzeichnis
- EULA