- 230 Seiten
- German
- PDF
- Über iOS und Android verfügbar
eBook - PDF
Theoretische Grundlagen der Halbleiterphysik
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Information
eBook-ISBN:
9783112648469Auflage
2Inhaltsverzeichnis
- Berichtigungszettel
- Vorwort zur zweiten Auflage
- Aus dem Vorwort zur ersten Auflage
- Inhaltsverzeichnis
- 1. Kristallstruktur und Symmetrien
- 1.1. Translationsgruppe
- 1.2. Punktgruppe
- 1.3. Fraktionelle Translationen
- 1.4. Beispiel: fcc-Gitter
- 2. Elektron im idealen Kristallpotential
- 2.1. Kristallpotential
- 2.2. Symmetrieoperatoren
- 2.3. Eigenwertproblem der Translationsoperatoren
- 2.4. Blochsches Theorem
- 2.5. Energiebänder
- 2.6. Periodische Randbedingung
- 2.7. Zustandsdichte. Kritische Punkte
- 2.8. Impulsmessung. Erwartungswert des Impulses. f-Summensatz
- 2.9. Halbleiter-Bandstrukturen
- 3. Methoden zur Berechnung der Bandstruktur
- 3.1. Qualitative Form des Kristallpotentials
- 3.2. Eigenwertproblem und Entvricklungsfunktionen
- 3.3. Entwicklung nach Bloch-Summen
- 3.4. Bindungs-Orbital-Modell
- 3.5. Enturicklung nach ebenen Wellen
- 3.6. Orthogonalisierte ebene Wellen
- 3.7. Pseudopotential
- 3.8. k * p-Methode
- 3.9. Hartree-Fock-Slater-Kristallpotential
- 4. Störstellen
- 4.1. Charakterisierung von Stör stellen
- 4.2. Effektivmassennäherung
- 4.3. Energieniveaus von Substitutionsstörstellen
- 5. Statistik der Ladungsträger im Gleichgewicht
- 5.1. Ladungsträgerdichte in den Bändern
- 5.2. Ladungsträgerdichte in den Störstellen
- 5.3. Bestimmung des chemischen Potentials
- 6. Bornsche Gitterdynamik
- 6.1. Schwingungszweige. Phononen
- 6.2. Phononen kleiner w- Vektoren
- 7. Lineare Wechselwirkung der Elektronen mit einem äußeren elektromagnetischen Feld
- 7.1. Mikroskopischer Quasileitfähigkeitstensor
- 7.2. Weitere mikroskopische Responsefunktionen
- 7.3. Näherung des selbstkonsistenten Feldes
- 8. Elektronische optische Eigenschaften
- 8.1. Dielektrischer Tensor
- 8.2. Mikroskopische Theorie des dielektrischen Tensors
- 8.3. Interbandübergänge
- 8.4. Plasmahereich
- 8.5. Exzitonen
- 9. Kristallpotential im Bindungsladungsmodell. Modellpotential
- 9.1. Nichtlineare Abschirmung des Ionenpotentials
- 9.2. Bindungsladungsmodell
- 9.3. Modellpotential
- 10. Mikroskopische Theorie der Gitterdynamik
- 10.1. Bewegungsgleichung der Ionen
- 10.2. Dynamische Matrix
- 10.3. Effektiver Ladungstensor
- 10.4. Polaritonen in Kristallen mit Zinkblendestruktur
- 10.5. Gitteranteil der dielektrischen Funktion
- 11. Elektron-Phonon-Wechselwirkung
- 11.1. Wechselivirkungsoperator
- 11.2. Deformationspotential
- 11.3. Elektron-Phonon-Streuung
- 12. Boltzmann-Gleichung
- 13. Lösungen der Boltzmann-Gleichung
- 13.1. Relaxationszeit
- 13.2. Ellipsoidische Energieflächen
- 13.3. Kohlersches Variationsverfahren
- 14. Elektrische Leitfähigkeit
- 14.1. Streuung an ionisierten Störstellen
- 14.2. Deformationspotential-Streuung
- 14.3. Polare Streuung
- 14.4. Drude-Formel. Leitfähigkeit bei tiefen Frequenzen
- 15. Galvanomagnetische Eifekte
- 15.1. Jones-Zener-Lösung
- 15.2. Hall-Effekt
- 15.3. Magnetowiderstand
- Appendix 1
- Appendix 2
- Appendix 3
- Appendix 4
- Appendix 5
- Appendix 6
- Appendix 7
- Appendix 8
- Appendix 9
- Appendix 10
- Literatur
- Verzeichnis der wichtigsten Symbole
- Sachverzeichnis