Design und Realisierung GaN-HEMT basierter THz-Detektoren
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Design und Realisierung GaN-HEMT basierter THz-Detektoren

  1. 172 Seiten
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Design und Realisierung GaN-HEMT basierter THz-Detektoren

Über dieses Buch

In dieser Arbeit wird gezeigt, wie State-of-the-Art THz-Detektoren mittels eines niederfrequenten Standard MMIC Prozesses zu realisieren sind. Für den zugrundeliegenden Detektionsmechanismus wird die theoretische Grundlage hergeleitet und herausgearbeitet, wie die einzelnen Elemente des Detektors interagieren. Die THz-Detektoren sind in einem GaN-on-SiC-HEMT-MMIC-Prozess realisiert. Dabei werden Bow-Tie-Antennen, logarithmische Spiralantennen und die jeweilige komplementäre Schlitz-Antennenkonfiguration miteinander verglichen. In diesem Zusammenhang wurde ein neuartiges Design entworfen, welches in Japan, den USA und der Europäischen Union erfolgreich zum Patent angemeldet ist. Die gesamte Detektorstruktur wird durch Simulationen und Gegenüberstellungen von Messungen an gefertigten THz-Detektorstrukturen verifiziert. Im Vergleich zwischen den simulierten und den gemessenen Detektionsströmen zeigt sich, trotz noch vorhandener Unsicherheiten bei Messung und Modell, über der Frequenz von 0, 1 THz bis 1, 2 THz eine gute Übereinstimmung. Die Kombination einer mittels 3D-EM-Simulationen nachgebildeten passiven Antennenstruktur mit einem den inneren Transistor beschreibenden Modell zu einer Gesamtsimulation der Detektorstruktur ist ein fundamentaler Bestandteil dieser Arbeit. Die realisierten THz-Detektorstrukturen mit teils neuartigen Antennen sind bei Raumtemperatur besonders empfindlich und stellen den aktuellen Entwicklungstand von GaN-basierten THz-Detektoren dar. Der Hauptdetektionsmechanismus liegt dabei im resistiven Selbstmischen, wodurch die Detektoren ein instantanes Ansprechverhalten bei hoher Linearität besitzen.

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Information

Jahr
2023
ISBN drucken
9783736977433
eBook-ISBN:
9783736967434
Auflage
1

Inhaltsverzeichnis

  1. Abbildungsverzeichnis
  2. Tabellenverzeichnis
  3. 1 Einleiteung
  4. 2 Detektionsmechanismen
  5. 2.1 Einleitung
  6. 2.2 Resistive Selbstmischung
  7. 2.3 Plasmonische Detektion
  8. 2.4 Betrachtung der Detektionsmechanismen
  9. 3 GaN-HEMT Technologie
  10. 3.1 Einleitung
  11. 3.2 Theoretische Grundlagen
  12. 3.3 Modelle
  13. 4 Antennen
  14. 4.1 Einleitung
  15. 4.2 Grundlagen Antennentechnik
  16. 4.3 Chip Antenne
  17. 4.4 Breitbandige Antennen
  18. 4.5 Einfluss von zusätzlichem Metall im Antennenfußpunkt
  19. 4.6 Schlitzantennen
  20. 4.7 Silizium-Linse
  21. 5 Realisierung der Detektorstruktur
  22. 5.1 Einleitung
  23. 5.2 MMIC Prozess
  24. 5.3 Transistor- und Kurzschluss-Design
  25. 5.4 Design der Detektorstruktur
  26. 6 Simulation und Messung der Detektorstruktur
  27. 6.1 Einleitung
  28. 6.2 Detektoraufbau und Messsystem
  29. 6.3 Die Detektorstrukturen
  30. 6.4 DC-Verhalten der Detektorstrukturen und deren Modellierung
  31. 6.5 HF-Messungen der Detektorstrukturen
  32. 6.6 Simulation der Detektorstruktur
  33. 6.7 Vergleich zwischen Messung und Simulation
  34. 6.8 Theoretische Betrachtung der Simulationsergebnisse
  35. 7 THz-Kamera
  36. 7.1 Einleitung
  37. 7.2 Aufbau
  38. 7.3 Messung
  39. 8 Zusammenfassung und Ausblick
  40. 8.1 Ausblick
  41. Quellenverzeichnis
  42. Anhang Appendix A