Integrierte Hochfrequenzschaltungen in SiGe BiCMOS-Technologien für die breitbandige Datenübertragung im D-Band
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Integrierte Hochfrequenzschaltungen in SiGe BiCMOS-Technologien für die breitbandige Datenübertragung im D-Band

  1. 176 Seiten
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Integrierte Hochfrequenzschaltungen in SiGe BiCMOS-Technologien für die breitbandige Datenübertragung im D-Band

Über dieses Buch

Mit der Einführung des Mobilfunkstandards der 5. Generation (5G) halten mm-Wellen- und Sub-THz Systeme Einzug in den Mainstream der drahtlosen kommerziellen Kommunikationstechnik. Da Frequenzbänder jenseits von 100 GHz (wie z. B. innerhalb desD-Bandes von 110-170 GHz) neuartige und kompakte Systeme, sowie die effiziente Nutzung großer Gesamtbandbreiten von mehreren 10 GHz ermöglichen, genießen sie derzeit in Forschung und Entwicklung ein gesteigertes Interesse. Mit den für die 6. Mobilfunkgeneration (6G) prognostizierten Datenraten in der Größenordnung mehrerer 100 Gbit/s erwachsen damit auch neue technische Herausforderungen und dementsprechende Lösungsansätze.Diese Arbeit beschäftigt sich mit dem Entwurf und der Charakterisierung breitbandiger Hochfrequenzkomponenten für Sender und Empfänger im D-Band unter Einsatz aktueller SiGe BiCMOS Technologien. Neben der einführenden Betrachtungtheoretischer und technologischer Möglichkeiten wird eine (teil-)automatisierte Designmethodik eingeführt, welche zur Unterstützung des Schaltungsentwurfs in dieser Arbeit verwendet wurde. Letzteres gilt insbesondere für den Einsatz und die Optimierung passiver, leitungsbasierter Komponenten, wie Anpassnetzwerke und Koppler. Diese eignen sich dank kleiner Wellenlängen oberhalb von 100 GHz für die Chipintegration und weiseninhärent breitbandige Eigenschaften auf.

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Information

Jahr
2023
ISBN drucken
9783736978911
eBook-ISBN:
9783736968912
Auflage
1

Inhaltsverzeichnis

  1. Kurzfassung
  2. Abstract
  3. 1 Einleitung
  4. 1.1. Überblick zum Stand der Technik
  5. 1.2. Motivation, Einordnung und Aufbau der Arbeit
  6. 2 Voraussetzungen für den Entwurf von Kommunikationssystemen über 100 GHz
  7. 2.1. Grundlegende Nachrichtentechnische Hintergründe und Herausforderungen
  8. 2.2. Spezielle Herausforderungen drahtloser Systeme über 100 GHz
  9. 2.3. Einführende Betrachtungen zum Entwurfintegrierter Schaltungen über 100 GHz mit Infineons SiGe BiCMOS-Technologien
  10. 3 Systematischer Entwurf passiver Komponenten fürbreitbandige Schaltungen im D-Band
  11. 3.1. Designautomatisierung passiverHF-Komponenten
  12. 3.2. Entwurf breitbandiger Schaltungen mittels Mikrostreifenleitungen
  13. 3.3. Entwurf breitbandiger Schaltungskomponenten basierend auf gekoppelten Leitungen
  14. 3.4. Beispiele für die Implementierung integrierter Komponenten mit gekoppelten Leitungen
  15. 4 Entwurf eines Empfänger-Front-Ends für eindual-polarisiertes Antenna-In-Package-System
  16. 4.1. Systemkonzept und Vorbetrachtung
  17. 4.2. Entwurf eines rauscharmen und breitbandigen D-Band Verstärkers
  18. 4.3. Entwurf eines breitbandigen und rauscharmen D-Band Abwärtsmischers
  19. 4.4. Aufbau des dual polarisierten D-Band Empfängers
  20. 5 Komponentenentwurf breitbandiger D-Band Modulatorenund Sender
  21. 5.1. Entwurf eines breitbandigen und Koppler-basierten Phasenschiebers
  22. 5.2. Entwurf eines breitbandigen D-Band Leistungsverstärkers
  23. 5.3. Entwurf eines Vektoraddtions-basierten16-QAM RF-DACs
  24. 6 Zusammenfassung und Ausblick
  25. Anhang A
  26. Anhang B
  27. Abkürzungsverzeichnis
  28. Literatur
  29. Tabellen und Abbildungen
  30. Danksagung
  31. Eigene Veröffentlichungen