Silizium-Halbleitertechnologie
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Silizium-Halbleitertechnologie

Grundlagen mikroelektronischer Integrationstechnik

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Silizium-Halbleitertechnologie

Grundlagen mikroelektronischer Integrationstechnik

Über dieses Buch

Das Lehrbuch behandelt die Grundlagen und die technische Durchführung der Einzelprozesse zur mikroelektronischen Schaltungsintegration in der Silizium-Halbleitertechnologie. Die Integrationstechnik setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen Nanometern gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht der Prozessführung erläutert. Moderne 3D-Bauformen für Feldeffekttransistoren runden den Inhalt ab. 

Häufig gestellte Fragen

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Information

Inhaltsverzeichnis

  1. Cover
  2. Titelei
  3. 1. Einleitung
  4. 2. Herstellung von Siliziumscheiben
  5. 3. Oxidation des Siliziums
  6. 4. Lithografie
  7. 5. Ätztechnik
  8. 6. Dotiertechniken
  9. 7. Depositionsverfahren
  10. 8. Metallisierung und Kontakte
  11. 9. Scheibenreinigung
  12. 10. MOS-Technologien zur Schaltungsintegration
  13. 11. Erweiterungen zur Höchstintegration
  14. 12. Transistoren mit Nanometer-Abmessungen
  15. 13. Bipolar-Technologie
  16. 14. Montage integrierter Schaltungen
  17. 15. Anhänge
  18. Anhang