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High-Frequency Integrated Circuits

Name: High-Frequency Integrated Circuits
Author: Sorin Voinigescu

Sorin Voinigescu

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High-Frequency Integrated Circuits

Sorin Voinigescu

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A transistor-level, design-intensive overview of high speed and high frequency monolithic integrated circuits for wireless and broadband systems from 2 GHz to 200 GHz, this comprehensive text covers high-speed, RF, mm-wave and optical fiber circuits using nanoscale CMOS, SiGe BiCMOS and III-V technologies. Step-by-step design methodologies, end-of-chapter problems and practical simulation and design projects are provided, making this an ideal resource for senior undergraduate and graduate courses in circuit design. With an emphasis on device-circuit topology interaction and optimization, it gives circuit designers and students alike an in-depth understanding of device structures and process limitations affecting circuit performance.

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Est-ce que High-Frequency Integrated Circuits est un PDF/ePUB en ligne ?

Oui, vous pouvez accéder à High-Frequency Integrated Circuits par Sorin Voinigescu en format PDF et/ou ePUB ainsi qu’à d’autres livres populaires dans Technik & Maschinenbau et Mikrowellen. Nous disposons de plus d’un million d’ouvrages à découvrir dans notre catalogue.

Informations

Éditeur

Cambridge University Press

Année

2013

ISBN

9781107302181

Sujet

Technik & Maschinenbau

Sous-sujet

Mikrowellen

1.2.2

Silicon

bipolar,

SiGe

BiCMOS

and

CMOS

RF,

and

fiber-optic

ICs

At

the

time

of

the

first

MMIC,

the

fastest

silicon

bipolar

transistors

had

cutoff

frequencies

of

2GHz,

the

physical

gate

length

of

silicon

MOSFETs

was

larger

than

5

μ

m

and

comple-

mentary

CMOS

logic

was

just

being

introduced.

More

than

15

years

would

pass

before

the

first

silicon

bipolar

and

BiCMOS

processes

with

transistor

f

T

and

f

MAX

larger

than

10GHz

became

commercially

available.

However,

the

main

roadblock

in

realizing

the

first

silicon

RFICs

or

MMICs

was

not

so

much

the

transistor

speed,

but

rather

achieving

acceptable

quality

factors

for

inductors

integrated

on

silicon.

Although

for

several

decades,

even

today,

a

large

effort

has

been

dedicated

to

adopting

high-resistivity

silicon

substrates

in

Figure

1.3

The

first

MMIC:

X-Band

(8

–

12GHz)

LNA

from

Plessey

[

3

]

BIAS

BIAS

IN

IN

IN

IN

400

m

400

m

40

m

60

m

120

m

500

m

120

m

40

m

80

m

OUT

OUT

OUT

V

DD

V

DD

V

DD

V

SS

V

SS

V

SS

13

nH

DC

SENSE

DC

SENSE

(a)

(b)

(c)

GAIN

(dB)

A21

A40

A60

20

10

0

0.3

1.0

2

3

5

FREQ. 

(GHz)

10

Figure

1.4

The

first

GaAs

MESFET

broadband

amplifiers

[

4

]

6

Introduction